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中韩科研人员在新型半导体材料和器件领域取得重大突破

来源：科学网更新时间：2024-04-11 15:05:06

记者11日从电子科技大学获悉，中韩科研人员***高迁移率稳定的非晶P型(空穴)半导体器件，突破该领域二十余年的研究瓶颈。这一在新型半导体材料和器件领域取得的重大突破，将进一步推动现代信息电子学和大规模互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的发展。这一研究成果以 ...[查看原文]

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